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型号 SI3447CDV-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP
SI3447CDV-T1-GE3 PDF
代理商 SI3447CDV-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 36 毫欧 @ 6.3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 910pF @ 6V
功率 - 最大 3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 标准包装
其它名称 SI3447CDV-T1-GE3DKR
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